濕法刻蝕系統用于先進的無損兆聲清洗。可以適用于易受損的帶圖案或無圖案的基片，包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到優化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。濕法刻蝕系統的技術確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的較大化支持理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍內。濕法刻蝕系統提供高可重復性、高均勻性及的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離，以及濕法刻蝕。它可以在一個工藝步驟中包含了的無損兆聲清洗、化學試劑清洗、刷子清洗以及干燥功能。
濕法刻蝕系統和干法刻蝕系統的優缺點對比：
濕法刻蝕系統是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質之間的化學反應將被刻蝕物質剝離下來的刻蝕方法。大多數濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。
特點：適應性強，表面均勻性好、對硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。
缺點：圖形刻蝕保真想過不理想，刻蝕圖形的小線難以掌控。
濕法刻蝕系統的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應，形成揮發性物質，或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。
特點：能實現各向異性刻蝕，從而保證細小圖形轉移后的保真性。
缺點：造價高，用于微流控芯片制備的較少。
濕法刻蝕系統包括：用于容置電漿的腔體；設置于所述腔體上方的石英盤；設置于所述石英盤上方的多個磁體；旋轉機構，所述旋轉機構帶動所述多個磁體旋轉，所述多個磁體產生的磁場隨所述多個磁體的旋轉而旋轉，所述電漿處于所述磁場中。本發明的方案可以進一步增加粒子的碰撞頻率，以達到優化電漿的均勻度，也可提高電漿的濃度。
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