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  • AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備
    AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備

    AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備,具備現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)為等離子體模式的能力,占地面積小(38.1 厘米,寬 15 英寸),可容納直徑為 6 英寸或更小的樣品。

    更新時(shí)間:2025-07-31型號(hào):瀏覽量:265
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