AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設(shè)備

簡要描述：AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設(shè)備，其以熱系統(tǒng)，配備新高級空心陰極源與 60 MHz RF，有低氧污染等特點；占地小，可容納 6 英寸及更小樣品，可選定制卡盤；有 4 個有機金屬源前驅(qū)體、多達(dá) 4 個氧化劑 / 還原劑源；具備高溫兼容快速脈沖 ALD 閥等；溫度范圍廣，靜態(tài)處理模式可獲高曝光。

產(chǎn)品型號：

所屬分類：AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設(shè)備

更新時間：2025-08-01

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

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詳情介紹

AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設(shè)備

AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設(shè)備

AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設(shè)備，其以熱系統(tǒng)，配備新高級空心陰極源與 60 MHz RF，有低氧污染等特點；占地小，可容納 6 英寸及更小樣品，可選定制卡盤；有 4 個有機金屬源前驅(qū)體、多達(dá) 4 個氧化劑 / 還原劑源；具備高溫兼容快速脈沖 ALD 閥等；溫度范圍廣，靜態(tài)處理模式可獲高曝光。

特征

· 占地面積小（38.1 厘米，15 英寸寬）臺式等離子 ALD
· 高效、遠(yuǎn)程 300 瓦空心陰極源和 60 MHz 射頻發(fā)生器
特點：低氧污染、高電子密度、低等離子體損傷
· 綜合匹配網(wǎng)絡(luò)
· 可容納直徑為 6 英寸的樣品，并帶有可選的可定制卡盤。
· 暖壁鋁室，帶 40 – 400 °C 的加熱樣品架（可提供 500 °C）
· 4 種有機金屬前驅(qū)體可加熱至 180°C。
· 多達(dá) 4 個氧化劑/還原劑源，每個氧化劑/還原劑源均具有超快 MFC（2 個標(biāo)準(zhǔn)）
· 高溫兼容快速脈沖 ALD 閥，具有超快 MFC 和
· 集成惰性氣體吹掃
· 靜態(tài)處理模式下可獲得高曝光

規(guī)格

· 基板溫度從室溫到 400 °C ± 1 °C（500 °C 可選）;前驅(qū)體溫度從 RT 到 180 °C ± 2°C（帶加熱夾套）
· 占地面積小（15 英寸 x 15 英寸），臺式安裝，兼容潔凈室
· 系統(tǒng)維護簡單，公用事業(yè)成本低。
· 流線型腔室設(shè)計和小腔室容積
· 快速循環(huán)能力和高曝光，可進行深度滲透處理
· 完整的硬件和軟件聯(lián)鎖，即使在多用戶環(huán)境中也能安全運行。

選項

· 定制卡盤/壓板
· QCM（石英晶體微量天平）
· 額外的反反應(yīng)物管線（MFC 控制）——最多 2 個額外的
· 可選的起泡器，采用增壓技術(shù)
· 負(fù)載鎖（或手套箱集成）
· 外部控制 – PC/軟件鏈接（允許遠(yuǎn)程編程和運行）
· 高于標(biāo)準(zhǔn)壓力狀態(tài)

AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設(shè)備

設(shè)施

有關(guān)詳細(xì)說明，請參閱我們的演示和視頻說明：“AT650P 安裝和啟動 "
· N₂ 吹掃氣體應(yīng)為 >99.9995%，帶有截止閥（調(diào)節(jié)至 10 – 30 psi，金屬密封）。
輸入線是 1/4 母頭 VCR 壓縮接頭
通過 1/4 英寸金屬線將 99.9995% 氮氣（UHP）吹掃氣體>背面的 1/4 英寸壓縮接頭連接起來
· 通過 90/110 英寸聚乙烯管或金屬線將 1-4 psi CDA（清潔干燥空氣）連接到另一個標(biāo)有 CDA（清潔干燥空氣）的 1/4 英寸壓縮接頭
· 最小 19.5cfm 濕泵（**需要PTFE 真空流體（如 Fomblin））（干泵是可選的）